2SK1299STL-E

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 IRF7665S2TR/TR1PbF器件采用DirectFET封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFET封装技术具有更低的寄生电感和电阻。更低的电感通过减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃来改善EMI性能。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装还支持双面散热，以最大限度地提高电源系统中的热传递，改善热阻和功率耗散。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

• 低导通电阻
• 高速开关
• 低驱动电流
• 4 V栅极驱动器件
• 可由5 V电源驱动
• 适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和螺线管驱动

-高速电源开关