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IPD65R600E6TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD65R600E6TR

650V,电流:7.3A,耐压:650V

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商品型号
IPD65R600E6TR
商品编号
C3282799
商品封装
TO-252-3​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)63W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)440pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)30pF

商品概述

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商品特性

-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动,无铅镀层,无卤模塑料-完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级
  • 谐振开关脉宽调制(PWM)级
  • 电脑主机
  • 适配器
  • 液晶(LCD)和等离子(PDP)电视
  • 照明
  • 服务器
  • 电信
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF