PMXB75UPE147
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.07W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 608pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无引脚超小 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 沟槽 MOSFET 技术
- 无引脚超小超薄 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
- 静电放电 (ESD) 保护 1.5 kV HBM
- 漏源导通电阻 RDSon = 69 mΩ
- 极低的栅源阈值电压，适用于便携式应用 VGS(th) = -0.68 V
应用领域
- 便携式设备的高端负载开关和充电开关-电池驱动便携式设备的电源管理-LED 驱动器-直流到直流转换器