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RJK6026DPP-00#T2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RJK6026DPP-00#T2

N沟道,电流:5A,耐压:600V

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商品型号
RJK6026DPP-00#T2
商品编号
C3282752
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V
耗散功率(Pd)28.5W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)440pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

商品特性

  • 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化
  • 适用于高频开关电源的低开关品质因数
  • 经过100%雪崩测试
  • N沟道
  • 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
  • 栅极电荷与RDS(on)乘积(品质因数)极佳
  • 符合JEDEC标准,适用于目标应用
  • 出色的热阻性能
  • 无铅镀层;符合RoHS标准

应用领域

  • 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
  • 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。

数据手册PDF