商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 375pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，可在不随时间降低性能的情况下增强耐压能力。此外，这款先进的功率MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥接电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 80 V
- 在30MHz、28V条件下,输出功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、28V条件下,输出功率150W,典型增益13dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 可提供配对产品
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达30:1
- 采用氮化钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可替代高电压MRF141
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路
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