2SK4145-S19-AY
N沟道,电流:84A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK4145-S19-AY
- 商品编号
- C3282757
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
HEXFET 技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率 MOSFET 晶体管产品线的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。 HEXFET 晶体管还具备 MOSFET 所有公认的优点，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 重复雪崩额定值
- 动态 dv/dt 额定值
- 密封封装
- 简单的驱动要求
- 易于并联
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。