IPI65R110CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:31.2A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI65R110CFD
- 商品编号
- C3282781
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.3mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的坚固性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 超快体二极管
- 极高的换相鲁棒性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
- 易于使用/驱动
- 根据 JEDEC（J - STD20 和 JESD22）标准适用于工业级应用
- 无铅镀层，无卤模塑料
应用领域
- 650V CoolMOS™ CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级，例如用于 PC 电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。