商品参数
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商品概述
采用MegaFET工艺制造的P沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI)电路的尺寸,能实现硅的最优利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 8A,60V
- rDS(ON) = 0.300Ω
- 2kV静电放电(ESD)保护
- 温度补偿PSPICE模型
- PSPICE热模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
- CPU电源供应-DC-DC转换器