NTK3139PT1H
单P沟道,电流:-780mA,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTK3139PT1H
- 商品编号
- C3282699
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 780mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 与SC-89封装相比,占位面积缩小44%,厚度降低38%
- 低阈值电平,支持1.5 V的导通电阻(RDS(on))额定值
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-负载/电源开关-接口、逻辑开关-超小型便携式电子设备的电池管理