MMSF1310R2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管具有较低的反向恢复时间。MiniMOS™器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 低 RDS(ON) 提供更高的效率并延长电池寿命
- 高速开关为DC/DC转换器提供高效率
- 微型SO - 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
- 二极管具有高速、软恢复特性
应用领域
- DC - DC转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制