MCH6631-TL-E
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- MCH6631集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻和高速开关特性,从而可实现高密度安装。
- 出色的导通电阻特性。
- 2.5V驱动(N沟道),1.8V驱动(P沟道)。
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器
- 开关电源
- 不间断电源用DC-AC转换器
- 电机控制