UPA1716G-E1-A
商品参数
参数完善中
商品概述
WaveFET器件是一系列先进的功率MOSFET，采用安森美半导体（ON Semiconductor）最新的MOSFET技术工艺，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。WaveFET器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。典型应用包括直流-直流转换器，以及计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。它们还可用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制。规定了雪崩能量，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 具有广泛的功率额定值特性
- 超低的RDS(on)，可提高效率并延长便携式应用的电池使用寿命
- 逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
- 二极管适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 微型SO-8表面贴装封装 - 节省电路板空间
应用领域
- 直流-直流转换器-计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理-磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制