商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品概述
CLF1G0035 - 100和CLF1G0035S - 100是采用第一代GaN HEMT技术的宽带通用100 W放大器。工作频率范围为直流至3.5 GHz。
商品特性
- 工作频率范围为直流至3.5 GHz
- 100 W通用宽带射频功率GaN HEMT
- 出色的耐用性(电压驻波比10:1)
- 高电压工作(50 V)
- 散热增强型封装
应用领域
- 商用无线基础设施(蜂窝、WiMAX)
- 工业、科学、医疗领域
- 雷达
- 干扰器
- 宽带通用放大器
- 电磁兼容性测试
- 公共移动无线电
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