NE5550779A-T1A-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE5550779A-T1A-A
- 商品编号
- C3282740
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 17.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V@1.0mA |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 雪崩额定
- dv/dt额定
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
- 符合AEC Q101标准
