NE5550779A-T1A-A
NE5550779A-T1A-A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE5550779A-T1A-A
- 商品编号
- C3282740
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 17.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
商品特性
- 高输出功率:典型输出功率Pout = 38.5 dBm(VDS = 7.5 V,IDset = 140 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
- 高功率附加效率:典型附加效率ηadd = 66%(VDS = 7.5 V,IDset = 140 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
- 高线性增益:典型线性增益GL = 22.0 dB(VDS = 7.5 V,IDset = 140 mA,f = 460 MHz,Pin = 10 dBm)
- 高静电放电耐受性
- 适用于甚高频至超高频波段的AB类功率放大器。
应用领域
- 150 MHz频段无线电系统
- 460 MHz频段无线电系统
- 900 MHz频段无线电系统