2SK2365-Z-E1-AZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2365-Z-E1-AZ
- 商品编号
- C3282727
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款单通道 N 沟道 MOSFET 是采用先进的功率沟槽工艺设计而成的，旨在针对特定 MicroFET 铝基板在 1.5V 的栅极-源极电压下优化导通电阻（rDS(ON)）。 该设计与 FDMA410NZ 类似，但采用了我们全新的 2x2 微型无引线封装（MLP）技术，最大高度为 0.55 毫米。
商品特性
- 低导通电阻
- 2SK2365:RDS(on) = 0.5 Ω (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
- 2SK2366:RDS(on) = 0.6 Ω (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
- 低 C\text iss C\text iss = 1600 pF(典型值)
- 高雪崩能力额定值
- 隔离型TO - 220封装
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- 直流-直流转换
- 移动设备开关