PSMN7R0-30YL115/BKN
PSMN7R0-30YL115/BKN
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN7R0-30YL115/BKN
- 商品编号
- C3282709
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为工业和通信应用设计并通过相关认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
-D类放大器-电机控制-直流-直流转换器-服务器电源
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