IRF430
N沟道,电流:4.5A,耐压:500V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF430
- 商品编号
- C3282690
- 商品封装
- TO-204AA(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HEXFET 技术是国际整流器公司(International Rectifier)先进功率 MOSFET 晶体管产品线的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。 HEXFET 晶体管还具备 MOSFET 所有公认的优点,如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 重复雪崩额定值
- 动态 dv/dt 额定值
- 密封封装
- 简单的驱动要求
- 易于并联
应用领域
- 开关电源
- 电机控制
- 逆变器
- 斩波器
- 音频放大器
- 高能脉冲电路