商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 内置快速恢复体二极管
- 极低反向恢复电荷
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准，适用于工业级应用