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UPA2804T1L-E2-AT

N沟道,电流:28A,耐压:30V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: UPA2804T1L-E2-AT
商品编号: C3282694
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SynchroFET系列专为P6和奔腾处理器设计，为实现同步整流降压开关稳压器提供了一种新方法。SynchroFET可替代两个功率DMOS、一个肖特基二极管、两个栅极驱动器和同步控制电路。当PWM输入为高电平时，互补驱动电路使上侧FET导通，下侧FET关断。当PWM输入为低电平时，上侧FET关断，下侧FET导通。HIP5011有一个PWM引脚，可将输入与PHASE之间的关系反相。这种架构使设计人员能够在电流模式或电压模式配置中使用低成本的单端PWM控制器。SynchroFET工作在连续导通模式，可降低EMI限制并实现高带宽操作。多项特性确保轻松启动。首先，随着电源电压的上升，电源电流保持在规定范围内；不会出现可能干扰软启动或耗尽电荷泵的意外浪涌。其次，VCC、VIN或PWM引脚的任何上电顺序都可使用，不会产生大电流。第三，当VCC大于2V时芯片即可工作，因此VCC可由由VIN供电的电荷泵产生。

商品特性

漏源极电压(VDSS):30 V(环境温度TA = 25°C)
低导通电阻
最大导通电阻(RDS(on))= 6.8 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 28 A)
支持4.5 V栅极驱动
带散热片的小型薄型表面贴装封装(8引脚HVSON)
无铅、无卤

应用领域

5V至≤3.3V同步降压转换器
奔腾和P6电源
PowerPC电源
总线终端（BTL和GTL）
直接从微处理器驱动5V电机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	28A
	导通电阻(RDS(on))	6.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	52W
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	29nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.85nF
	反向传输电容(Crss)	160pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	310pF