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UPA2804T1L-E2-AT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UPA2804T1L-E2-AT

N沟道,电流:28A,耐压:30V

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商品型号
UPA2804T1L-E2-AT
商品编号
C3282694
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)1.85nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)310pF

商品概述

μPA2804是一款N沟道MOS场效应晶体管,专为笔记本电脑电源管理应用和锂离子电池保护电路而设计。

商品特性

  • 漏源极电压(VDSS):30 V(环境温度TA = 25°C)
  • 低导通电阻
  • 最大导通电阻(RDS(on))= 6.8 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 28 A)
  • 支持4.5 V栅极驱动
  • 带散热片的小型薄型表面贴装封装(8引脚HVSON)
  • 无铅、无卤

应用领域

  • 5V至≤3.3V同步降压转换器
  • 奔腾和P6电源
  • PowerPC电源
  • 总线终端(BTL和GTL)
  • 直接从微处理器驱动5V电机

数据手册PDF