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MTP1N60E实物图
  • MTP1N60E商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MTP1N60E

1A, 600V N沟道 MOSFET

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTP1N60E
商品编号
C3282692
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))8Ω@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)310pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)40pF

数据手册PDF

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