MTP1N60E
1A, 600V N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTP1N60E
- 商品编号
- C3282692
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款功率MOSFET设计用于在雪崩和换向模式下耐受高能量。专为电源、转换器和动力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，这些器件特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥接电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥接电路