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这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。Micro8器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，消除了在切换感性负载的设计中的不确定性，并针对意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。

• 微型Micro8表面贴装封装 – 节省电路板空间
• 极低的外形高度（<1.1mm），适用于PCMCIA卡等薄型应用
• 超低的RDS(on)，可提高效率并延长电池寿命
• 逻辑电平栅极驱动 – 可由逻辑IC驱动
• 二极管特性适用于桥式电路
• 二极管具有高速、软恢复特性
• 规定了高温下的IDSS
• 规定了雪崩能量
• 提供Micro8封装的安装信息

• 笔记本电脑
• 摄录一体机
• 移动电话
• 板载电源的次级侧
• 用于锂离子电池组的过充保护
• 网络、数据通信
• 打印机和数码复合机的各种直流-直流电源
• P沟道:锂离子电池(笔记本电脑)
• N沟道:用于直流-直流转换器的同步整流(笔记本电脑、电信设备、负载点(POL)、砖式电池)