商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 295mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1000uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与ISL6592数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6594A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动。ISL6594B可将上、下栅极在5V至12V范围内驱动。这种驱动电压提供了必要的灵活性，可优化涉及栅极电荷和传导损耗权衡的应用。 集成了自适应零直通保护功能，以防止上、下MOSFET同时导通，并使死区时间最小化。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前就开始工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。然后，转换器的输出电压受低端MOSFET阈值的限制，如果在上电启动期间上MOSFET短路，这可为微处理器提供一定的保护。 这些驱动器还具有三态PWM输入，该输入与Intersil的多相PWM控制器协同工作，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能省去了某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。
商品特性
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 可调栅极电压（5V至12V），实现最佳效率
- 36V内部自举肖特基二极管
- 防止自举电容过充电
- 支持高开关频率（高达2MHz）
- 3A灌电流能力
- 快速上升/下降时间和低传播延迟
- 用于输出级关断的三态PWM输入
- 用于有电源排序要求应用的三态PWM输入迟滞
- 上电复位前过压保护
- VCC欠压保护
- 可扩展底部铜焊盘，增强散热能力
- 双扁平无引脚（DFN）封装
- 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，外形更薄
- 提供无铅产品（符合RoHS标准）
应用领域
- 英特尔和AMD微处理器的核心调节器-高电流DC/DC转换器-高频高效VRM和VRD