X97813760
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.3pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 具备dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准