IPB65R280E6
650V,电流:13.8A,耐压:700V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R280E6
- 商品编号
- C3282574
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用了高单元密度的HDTMOS工艺。低导通电阻RDS(on)可确保功率损耗最小化并节约能源，使该器件非常适合用于小型电源管理电路。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，可提高效率并延长电池使用寿命
- 微型TSOP - 6表面贴装封装，节省电路板空间
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机）的电源管理
- 打印机
- PCMCIA卡
- 移动电话和无绳电话