IRFAF30
900V, N-通道, 2.0A, 900V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFAF30
- 商品编号
- C3282577
- 商品封装
- TO-204AA(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HEXFET® 技术是国际整流器公司(International Rectifier)先进功率 MOSFET 晶体管产品线的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。HEXFET 晶体管还具备 MOSFET 所有公认的优势,如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
-重复雪崩额定值-动态 dv/dt 额定值-密封封装-简单的驱动要求-易于并联
应用领域
-开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路