IRFAF30
900V, N-通道, 2.0A, 900V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFAF30
- 商品编号
- C3282577
- 商品封装
- TO-204AA(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。其节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计,特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 该二极管专为桥式电路应用而设计
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路
