ECH8664R-TL-H
N沟道,电流:7A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8664R-TL-H
- 商品编号
- C3282593
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2SK2462是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 低导通电阻
- 2.5V驱动
- 共漏极类型
- 内置保护二极管
- 内置栅极保护电阻
- 最适用于锂电池充放电开关
- 符合无卤要求