MTB6N60E1
N沟道增强型硅MOSFET,电流:6A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB6N60E1
- 商品编号
- C3282648
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 217pF |
商品概述
这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。Micro8器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压端接
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
- 散热片短接片为制造而非剪切工艺
- 特殊设计的引线框架,实现最大功率耗散
应用领域
-电源-转换器-PWM 电机控制-桥式电路