2SK1286-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小型贴片封装CMPAK - 6，内置双BBFET；可降低元器件使用成本和PCB板空间占用。
- 对降低调谐器总体成本非常有用。
- 适用于全球标准调谐器射频放大器。
- 高增益
- 低噪声
- 低输出电容
- 电源电压：5 V
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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