FMD21-05QC
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- Q级功率MOSFET技术
- 低 R\textDSon
- 低栅极电荷,适用于高频操作
- 非钳位电感开关(UIS)能力
- dv/dt鲁棒性
- HiPerDynTM 快恢复外延二极管(FRED)
- 由串联二极管组成
- 增强的动态性能,适用于高频操作
- ISOPLUS i4 - PACTM 封装
- 背面绝缘
- UL注册编号E72873
- 引脚与散热器之间的耦合电容低
- 到散热器的爬电距离增大
- 引脚布局便于应用
- 低电感电流路径
- 高可靠性
- 行业标准外形
应用领域
- 功率因数校正斩波器
- 高频变压器电源
- 开关模式电源
- 焊接转换器