IPD50N06S3L-08
N沟道,电流:50A,耐压:55V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50N06S3L-08
- 商品编号
- C3282610
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.16nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.22nF |
商品概述
HEXFET® 技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率 MOSFET 晶体管产品线的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。HEXFET 晶体管还具备 MOSFET 所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- N沟道 - 逻辑电平 - 增强型
- 符合汽车级AEC Q101标准
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 环保封装(符合RoHS标准)
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路