2SK1399-T2B-A

这款先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并实现高效开关。这款新型高能量器件还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。该器件专为高压、高速开关应用而设计，如电源、PWM 电机控制和其他感性负载。其雪崩能量能力经过精确规定，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。

~~- 高温下规定雪崩能量能力-低栅极存储电荷,实现高效开关-内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器,可在雪崩模式下吸收高能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当

• 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。