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IMBG65R057M1HXTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IMBG65R057M1HXTMA1

IMBG65R057M1HXTMA1

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描述
基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。
商品型号
IMBG65R057M1HXTMA1
商品编号
C3282613
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
属性参数值
连续漏极电流(Id)39A
耗散功率(Pd)161W

数据手册PDF

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