HIP5010IS
7V,17A同步半桥NMOS晶体管
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP5010IS
- 商品编号
- C3282578
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 7V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SynchroFET系列专为P6和奔腾处理器设计,为实现同步整流降压开关稳压器提供了一种新方法。SynchroFET可替代两个功率DMOS、一个肖特基二极管、两个栅极驱动器和同步控制电路。当PWM输入为高电平时,互补驱动电路使上侧FET导通,下侧FET关断。当PWM输入为低电平时,上侧FET关断,下侧FET导通。HIP5011有一个PWM引脚,可将输入与PHASE之间的关系反相。这种架构使设计人员能够在电流模式或电压模式配置中使用低成本的单端PWM控制器。SynchroFET工作在连续导通模式,可降低EMI限制并实现高带宽操作。多项特性确保轻松启动。首先,随着电源电压的上升,电源电流保持在规定范围内;不会出现可能干扰软启动或耗尽电荷泵的意外浪涌。其次,VCC、VIN或PWM引脚的任何上电顺序都可使用,不会产生大电流。第三,当VCC大于2V时芯片即可工作,因此VCC可由由VIN供电的电荷泵产生。
商品特性
-互补驱动、半桥功率NMOS-可与低成本单输出PWM控制器配合使用-与带肖特基钳位的传统降压转换器相比,提高了效率-自适应直通保护提供的最小死区时间可省去外部肖特基二极管-接地外壳,低EMI且易于散热-低工作电流-频率超过1MHz-双极性输入选项-所有引脚均有浪涌保护
应用领域
- 5V至≤3.3V同步降压转换器
- 奔腾和P6电源
- PowerPC电源
- 总线终端(BTL和GTL)
- 直接从微处理器驱动5V电机