HIP5010IS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 7V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 互补驱动，半桥功率NMOS
- 可与低成本单输出PWM控制器配合使用
- 效率优于带肖特基箝位的传统降压转换器
- 自适应直通保护提供的最小死区时间消除了外部肖特基
- 接地外壳，低EMI和简单的散热
- 低工作电流
- 频率超过1MHz
- 双极性输入选项
- 所有引脚均具有浪涌保护
应用领域
- 5V至≤3.3V同步降压转换器
- 奔腾和P6电源供应
- PowerPC电源供应
- 总线终端（BTL和GTL）
- 直接从微处理器驱动5V电机
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