HIP5010IS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 7V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
-互补驱动、半桥功率NMOS-可与低成本单输出PWM控制器配合使用-与带肖特基钳位的传统降压转换器相比,提高了效率-自适应直通保护提供的最小死区时间可省去外部肖特基二极管-接地外壳,低EMI且易于散热-低工作电流-频率超过1MHz-双极性输入选项-所有引脚均有浪涌保护
应用领域
- 5V至≤3.3V同步降压转换器
- 奔腾和P6电源
- PowerPC电源
- 总线终端(BTL和GTL)
- 直接从微处理器驱动5V电机