NTNS41S006PZTCG

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTNS41S006PZTCG
商品编号: C3282580
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

商品概述

HEXFET技术是先进功率MOSFET晶体管系列的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。

商品特性

单P沟道MOSFET
超小超薄封装(0.62 x 0.62 x 0.4 mm)
0.62 x 0.62 mm封装的低导通电阻(RDS(on))解决方案
这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

-小信号负载开关-模拟开关-高速接口-专为超便携式产品的电源管理优化

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	137mA
	导通电阻(RDS(on))	2.1Ω@10V
	耗散功率(Pd)	121mW
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.4nC
	输入电容(Ciss)	9.1pF
	反向传输电容(Crss)	1.9pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	3.2pF
	栅极电压(Vgs)	±20V