IRF7665S2TRPBF
N沟道,电流:14.4A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7665S2TRPBF
- 商品编号
- C3282609
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术,以实现单位硅面积的低导通电阻。此外,对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以改善D类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。 IRF7665S2TR/TR1PbF器件采用DirectFET封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比,DirectFET封装技术具有更低的寄生电感和电阻。更低的电感通过减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃来改善EMI性能。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时,DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装还支持双面散热,以最大限度地提高电源系统中的热传递,改善热阻和功率耗散。这些特性相结合,使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
商品特性
-针对D类音频放大器应用优化关键参数-低导通电阻RDS(ON),提高效率-低栅极电荷Qg,改善THD并提高效率-低反向恢复电荷Qrr,改善THD并降低EMI-低封装杂散电感,减少振铃并降低EMI-无需散热片,每通道可向8Ω负载输出高达100W功率-支持双面散热-与现有表面贴装技术兼容-符合RoHS标准,不含铅或溴化物-无铅(可承受高达260°C的回流焊)-通过工业级认证