RJK2017DPE-00#J3
N沟道MOSFET,电流:45A,耐压:200V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK2017DPE-00#J3
- 商品编号
- C3282556
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
D²PAK封装可容纳比任何现有表面贴装封装更大的芯片，使其可用于需要使用具有更高功率和更低RDS(导通)能力的表面贴装元件的应用。这款高压MOSFET采用先进的终端设计，在长期使用过程中性能不下降的同时，提供增强的耐压能力。此外，这款先进的TMOS E型场效应管设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新的节能设计还提供了一个具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(导通)参数
- 散热片短接片为制造而成 — 非剪切而成
- 特殊设计的引线框架，实现最大功率耗散
- 提供24 mm、13英寸/800个的卷带包装，型号后缀加T4
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。