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DMP2900UW-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.6A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2900UW-13
- 商品编号
- C3282568
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 49pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 更高的电流额定值
- 更低的导通电阻（RDS(on)）
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的源漏极电压（VSD）规格
- 规定了雪崩能量
- 采用行业标准的DPAK表面贴装封装
应用领域
- 开关模式电源
- 脉冲宽度调制（PWM）电机控制
- 转换器
- 桥式电路