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MTB60N10E7L

N沟道,电流:60A,耐压:100V

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品牌名称: MOTOROLA(摩托罗拉)
商品型号: MTB60N10E7L
商品编号: C3282573
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

D2PAK封装能够容纳比任何现有表面贴装封装更大的芯片,使其可用于需要具有更高功率和更低RDS(on)能力的表面贴装元件的应用中。这款先进的TMOS E-FET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、转换器和PWM电机控制中的中压、高速开关应用而设计。这些器件特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并为意外电压瞬变提供额外的安全裕度。

商品特性

TMOS 7的新特性:
- 超低导通电阻,提供更高效率
- 降低栅极电荷
TMOS 7和TMOS E-FET的共同特性:
- 逻辑电平栅极驱动
- 规定雪崩能量
- 针对桥式电路应用进行二极管特性表征
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
- 行业标准D2PAK表面贴装封装
- 表面贴装封装有24mm、13英寸/800个单位卷带包装,型号后缀加T4

应用领域

电源
转换器
PWM电机控制
桥式电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	22mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	90nC@5V
	输入电容(Ciss)	4.2nF
	反向传输电容(Crss)	280pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	880pF