MTB60N10E7L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
商品特性
- TMOS 7的新特性:
- 超低导通电阻,提供更高效率
- 降低栅极电荷
- TMOS 7和TMOS E-FET的共同特性:
- 逻辑电平栅极驱动
- 规定雪崩能量
- 针对桥式电路应用进行二极管特性表征
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
- 行业标准D2PAK表面贴装封装
- 表面贴装封装有24mm、13英寸/800个单位卷带包装,型号后缀加T4
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路
相似推荐
其他推荐