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PMXB65ENE147

PMXB65ENE147

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMXB65ENE147
商品编号
C3282493
商品封装
DFN1010D-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))67mΩ@10V
耗散功率(Pd)400mW
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)295pF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)40pF

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型DFN1010D - 3(SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 沟槽MOSFET技术
  • 无引脚超小超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色
  • 静电放电(ESD)保护1 kV
  • 极低的漏源导通电阻RDSon = 44 mΩ

应用领域

-便携式设备的低端负载开关和充电开关-电池供电便携式设备的电源管理-LED驱动器-DC-DC转换器

数据手册PDF