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UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻,提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间(trr)小于 50 纳秒,反向 dv/dt 抗扰度为 20V/纳秒,而普通平面 MOSFET 分别为 200 纳秒以上和 4.5V/纳秒。因此,在某些需要改善 MOSFET 体二极管性能的应用中,UniFET Ultra FRFET MOSFET 可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

• 在 VGS = 10 V、ID = 2 A 时,RDS(on) = 1.65 Ω(典型值)
• 低栅极电荷(典型值 11 nC)
• 低 C\textrss(典型值 5 pF)
• 100% 雪崩测试
• 改善的 dv/dt 能力
• 符合 RoHS 标准

-LCD/LED 电视-照明-不间断电源-交流-直流电源