商品参数
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商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积下尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 导通电阻RDS(on)=0.33Ω(典型值)
- 输入电容Ciss=1200pF(典型值)
- 10V驱动
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理