2SK1315L-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
IRF6713SPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有MICRO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可在电源系统中实现最大的热传递，将先前最佳的热阻降低80%。 IRF6713SPbF在低电阻、低电荷和超低封装电感之间实现了平衡，从而降低了传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6713SPbF针对同步降压操作中至关重要的参数（包括Rds(on)和栅极电荷）进行了优化，这些参数在12 V总线转换器中用于最小化损耗。
商品特性
- 超薄外形（<0.7 mm）
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 低传导和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。