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DMT10H072LFDFQ-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电源管理功能——电池供电系统和固态继电器——驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H072LFDFQ-7
- 商品编号
- C3282015
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 228pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89.3pF |
商品概述
这款功率MOSFET具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用。
商品特性
- 0.6mm超薄外形,适用于低外形应用
- 4mm2的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用,通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力,且在通过IATF16949:2016认证的工厂生产
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等