FDMA410NZT-F130
N沟道,电流:9.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA410NZT-F130
- 商品编号
- C3282018
- 商品封装
- UDFN-6(2.05x2.05)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
VRF141是一款镀金硅n沟道射频功率晶体管，专为宽带商业应用而设计，在不影响可靠性、耐用性或互调失真的前提下，可提供高功率和高增益。
商品特性
- 最大封装高度为0.55mm的2x2mm MicroFET封装
- VGS = 4.5 V、ID = 9.5 A 时,最大 rDS(on) = 23 m Ω
- VGS = 2.5 V、ID = 8.0 A 时,最大 rDS(on) = 29 m Ω
- VGS = 1.8 V、ID = 4.0 A 时,最大 rDS(on) = 36 m Ω
- VGS = 1.5 V、ID = 2.0 A 时,最大 rDS(on) = 60 m Ω
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >1.5 ~kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- 直流-直流转换
- 移动设备开关