FDMA410NZT-F130
N沟道,电流:9.5A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA410NZT-F130
- 商品编号
- C3282018
- 商品封装
- UDFN-6(2.05x2.05)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
VRF141是一款镀金硅n沟道射频功率晶体管，专为宽带商业应用而设计，在不影响可靠性、耐用性或互调失真的前提下，可提供高功率和高增益。
商品特性
- 增强耐用性，漏源击穿电压（V(BR)DSS） = 80 V
- 在30MHz、28V条件下，典型增益为22dB，功率为150W
- 在175MHz、28V条件下，典型增益为13dB，功率为150W
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 可提供匹配对
- 在规定工作条件下，负载电压驻波比（VSWR）可达30:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 采用难熔镀金工艺
- 可替代高电压的MRF141
- 符合RoHS标准