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CSD86336Q3DT
2个N沟道 耐压:25V 电流:20A
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- 描述
- CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86336Q3DT
- 商品编号
- C3282043
- 商品封装
- VSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 494pF@12.5V；970pF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
2502 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形尺寸的表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 20V/4.5A，VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 25mΩ（典型值）
- 20V/2.5A，VGS = 2.5V 时，RDS(ON) = 55mΩ（典型值）
- 20V/2.0A，VGS = 1.8V 时，RDS(ON) = 80mΩ（典型值）
- 专为极低的 RDS(ON) 设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23 - 3L 封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 数码静态相机
- LCD 显示器逆变器