CSD86336Q3DT
2个N沟道 耐压:25V 电流:20A
- SMT扩展库
描述
CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD86336Q3DT商品编号
C3282043商品封装
VSON-8(3.3x3.3)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.1mΩ@20A,5V；3.4mΩ@20A,5V | |
| 功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA；1.9V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC@45V；7.4nC@45V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 494pF@12.5V；970pF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | 半桥 |
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