FDZ663P
P沟道,电流:-2.7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ663P
- 商品编号
- C3282063
- 商品封装
- WLCSP-4(0.8x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 288mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
FDZ663P采用仙童先进的1.5 V PowerTrench®工艺和先进的“细间距”薄型晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺设计,可最大程度减少PCB空间和RDS(ON)。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的突破,使该器件兼具出色的热传输特性、超薄外形(0.4 mm)、小尺寸(0.8 × 0.8 mm2)封装、低栅极电荷和低RDS(ON)等优点。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -2 A 时,最大 rDS(on) = 134 m Ω
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -1.5 A 时,最大 rDS(on) = 171 m Ω
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -1 A 时,最大 rDS(on) = 216 m Ω
- 在 VGS = -1.5 V、ID = -1 A 时,最大 rDS(on) = 288 m Ω
- 占用0.64 mm2的PCB面积,不到2 x 2 BGA面积的16%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.4 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护