FDZ663P
P沟道,电流:-2.7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ663P
- 商品编号
- C3282063
- 商品封装
- WLCSP-4(0.8x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 288mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端技术，在不随时间降低性能的前提下，增强了耐压能力。此外，这款先进的TMOS E-FET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器、PWM电机控制等高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求较高的桥式电路，并能针对意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -2 A 时,最大 rDS(on) = 134 m Ω
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -1.5 A 时,最大 rDS(on) = 171 m Ω
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -1 A 时,最大 rDS(on) = 216 m Ω
- 在 VGS = -1.5 V、ID = -1 A 时,最大 rDS(on) = 288 m Ω
- 占用0.64 mm2的PCB面积,不到2 x 2 BGA面积的16%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.4 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护