FDZ3N513ZT
单个N沟道,电流:1.1A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ3N513ZT
- 商品编号
- C3282064
- 商品封装
- WLCSP-4(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@3.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 85pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
- 单片NMOS和肖特基二极管
- 超小尺寸1mm x 1mm晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)
- VGS = 4.5 V、ID = 0.3 A时,最大rDS(on) = 462 mΩ
- VGS = 3.2 V、ID = 0.3 A时,最大rDS(on) = 520 mΩ
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >2000V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 单节锂离子电池LED背光的升压转换器功率级