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DMP21D6UFB4-7B
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.81A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP21D6UFB4-7B
- 商品编号
- C3282099
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 810mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 46.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.2pF |
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求