BSS223PWL6327
P沟道,电流:-0.39A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS223PWL6327
- 商品编号
- C3282122
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@1.5uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 620pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6mm²，比SOT23小13倍
- 封装高度0.4mm，适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 便携式电子设备