BTS112AE3045ANTMA1
N沟道,电流:12A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS112AE3045ANTMA1
- 商品编号
- C3282147
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1.0mA | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 雪崩额定
- dv/dt额定
- 工作温度175°C